本測試方法主要用于耐濕性評估和強(qiáng)健性測試。樣品放置于一個(gè)高壓、高濕環(huán)境下，在壓力下濕氣進(jìn)入封裝，使弱點(diǎn)暴露，如分層、金屬腐蝕。本測試用于評估新封裝或封裝材料變更（塑封料、芯片鈍化層）或設(shè)計(jì)變更（如芯片、觸點(diǎn)尺寸）。但本試驗(yàn)不應(yīng)用于基于封裝的層壓板或膠帶，如FR4材料、聚酰亞胺膠帶等。
    運(yùn)行本試驗(yàn)和評估試驗(yàn)結(jié)果須考慮一些注意事項(xiàng)。失效機(jī)制，內(nèi)部和外部的，可能產(chǎn)生于不符合預(yù)期使用條件。大多半導(dǎo)體元件在應(yīng)用時(shí)不會超過95%濕度，包括壓縮濕氣如下雨或霧。高溫高濕和高壓的綜合可能產(chǎn)生非現(xiàn)實(shí)的材料失效因?yàn)槲鼭駥Υ蠖鄶?shù)塑料材料會降低玻璃化溫度。高壓蒸煮試驗(yàn)結(jié)果推斷應(yīng)小心。
    無偏高壓蒸煮試驗(yàn)的目的在于用壓縮濕氣或飽和濕氣環(huán)境下，評估非氣密性封裝固態(tài)元件的抗?jié)裥?。這是一個(gè)采用壓力、濕度、濕度條件的高加速試驗(yàn)，在高壓條件下加速濕氣滲透到外外部保護(hù)物料（塑封料或絲?。┗蜓赝獗Ｗo(hù)物料與金屬導(dǎo)電層之間界面滲入。本測試用于識別封裝內(nèi)部的失效機(jī)制，并且是破壞性的。

    2、設(shè)備

    本測試要求一個(gè)可維持規(guī)定溫度和濕度的PCT高壓蒸煮試驗(yàn)箱。
    2.1記錄
    建議每個(gè)測試循環(huán)有一套溫度曲線記錄，以便驗(yàn)證應(yīng)力條件。
    2.2應(yīng)力儀器
    應(yīng)力儀器不近于內(nèi)部箱表面3cm,不能直接受熱。
    2.3離子污染
    測試工件不應(yīng)受到離子污染。
    2.4蒸餾水或去離子水
    小1M.cm電阻

    3、測試條件

    測試條件包括溫度、濕度、蒸氣壓和時(shí)間

    注1公差應(yīng)用于整個(gè)可用的試驗(yàn)區(qū)域。
    注2試驗(yàn)條件應(yīng)持續(xù)施加，除去中間讀數(shù)點(diǎn)。對中間讀數(shù)點(diǎn)，器件件應(yīng)在5.2規(guī)定時(shí)間內(nèi)返回加壓。
    注3本文件之前的版本規(guī)定以下試驗(yàn)條件。
    條件A：24hrs（-0，+2）
    條件B：48hrs（-0，+2）
    條件C：96hrs（-0，+5）
    條件D：168hrs（-0，+5）
    條件E：240hrs（-0，+8）
    條件F：336hrs（-0，+8）
    試驗(yàn)時(shí)間由內(nèi)部鑒定要求、JESD47或適用的程序文件規(guī)定。典型為96小時(shí)。
    注意：對塑封微電路，濕氣會降低塑封料的有效的玻璃化溫度。在有效的玻璃化溫度之.上的應(yīng)力溫度可能導(dǎo)致與操作使用相關(guān)的失效機(jī)理。

    4、程序

    受試器件應(yīng)以一定方式固定，暴露在規(guī)定的溫度、濕度條件下。應(yīng)避免元件置于100℃以上和小于10%R.H.濕度的環(huán)境中，特別是上升、下降和先期測量干燥期間。上升和下降時(shí)間應(yīng)分別小于3小時(shí)。在設(shè)備控制和冷卻程序時(shí)要特別小心防止受試器件受到破壞性的降壓。確保減少污染，經(jīng)常清潔試驗(yàn)腔體。
    4.1試驗(yàn)周期
    溫度和相對濕度達(dá)到第4條規(guī)定的設(shè)定點(diǎn)啟動試驗(yàn)計(jì)時(shí)，并在下降開始點(diǎn)停止計(jì)時(shí)。
    4.2測試
    電測試應(yīng)在下降結(jié)束降到室溫不早于2小時(shí)，不超過48小時(shí)內(nèi)進(jìn)行。對于中間測量，在下降階段結(jié)束后96小時(shí)內(nèi)器件恢復(fù)應(yīng)力。器件從高壓蒸煮試驗(yàn)箱移出后,可以通過把器件放入密封的潮濕袋(無干燥劑)中來減小器件的潮氣釋放速率。當(dāng)器件放入密封袋時(shí)，測試時(shí)間計(jì)時(shí)以器件暴露于實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中潮氣釋放速率的1/3來計(jì)算。這樣通過把器件裝入潮氣密封袋中測試時(shí)間可延長到144小時(shí)，壓力恢復(fù)時(shí)間也延長到288小時(shí)。
    4.3處理
    應(yīng)使用消除任何來源的附帶污染或靜電放電損壞的手環(huán)，處理器件和測試夾具。在本試驗(yàn)和任何高加速濕氣應(yīng)力試驗(yàn)中，污染控制是重要的。

    5、失效判據(jù)

    如果試驗(yàn)后，器件參數(shù)超過極限值，或按適用的采購文件和數(shù)據(jù)表中規(guī)定的正常和極限環(huán)境中不能驗(yàn)證其功能時(shí)，器件視為失效。由于外部封裝損傷造成的電失效不作為失效標(biāo)準(zhǔn)考慮范圍。

    6、安全性

    遵守設(shè)備生產(chǎn)廠家建議和當(dāng)?shù)匕踩ㄒ?guī)。

    7、說明

    有關(guān)的采購文件中應(yīng)規(guī)定如下內(nèi)容:
    a)試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間
    b)試驗(yàn)后測量

    8、PCT高壓蒸煮試驗(yàn)箱產(chǎn)品介紹

    8.1設(shè)備介紹

    PCT高壓蒸煮試驗(yàn)箱是利用高溫、高濕及加強(qiáng)的大氣壓力測試來評估IC產(chǎn)品對濕氣的抵抗能力。其和THB測試之不同處為不加偏壓，且用較高的溫度（121°C）及較高的濕度（100%R.H.）。

    8.2設(shè)備參數(shù)